英特尔正在展示其下一代 3D 堆叠 CMOS 晶体管技术，该技术利用背面电源和直接背面接触来为下一代芯片提供更高的性能和扩展性。
英特尔成功在晶圆上实现硅晶体管的大规模 3D 单片集成，演示利用背面电源和直接背面接触的 3D 堆叠 CMOS 晶体管
在 2023 年IEEE 国际电子器件会议(IEDM) 上，英特尔研究人员展示了 3D 堆叠 CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管与背面电源和直接背面接触相结合的进步。该公司还报告了背面电力传输(例如背面接触)的最新研发突破的扩展路径，并且它是第一个在同一 300-300 通道上成功展示硅晶体管与氮化镓 (GaN) 晶体管的大规模 3D 单片集成的公司。毫米 (mm) 晶圆上，而不是封装上。
“当我们进入 Angstrom 时代并在四年内超越五个节点时，持续创新比以往任何时候都更加重要。在 IEDM 2023 上，英特尔展示了其推动摩尔定律的研究进展，强调了我们提供领先技术的能力，这些技术可以为下一代移动计算实现进一步扩展和高效的电力传输。”
为什么重要： 晶体管缩放和背面功率是帮助满足对更强大的计算呈指数增长的需求的关键。年复一年，英特尔满足了这种计算需求，表明其创新将继续推动半导体行业的发展，并仍然是摩尔定律的基石。英特尔的组件研究小组不断突破工程的界限，通过堆叠晶体管，将背面功率提升到一个新的水平，以实现更多的晶体管缩放和改进的性能，以及证明由不同材料制成的晶体管可以集成在同一晶圆上。